日前，三星开始大规模量产12GB 低功耗双倍数率的LPDDR4X后，三星今天又宣布首次开发出第三代10纳米级（1z-nm）8Gb双倍数据速率的DDR4。

  这是三星自2017年底批量生产第二代10nm级（1y-nm）8Gb DDR4以来，仅仅16个月就开发出了1znm 8Gb DDR4，而且不使用极紫外光刻（EUV）设备处理，就突破了DRAM的技术挑战。

  三星1znm是业界最小的存储器工艺，新的1znm DDR4相较于1ynm生产率可提高20%以上，计划将在下半年开始量产1znm 8Gb DDR4，并将在2020年推出新一代企业服务器和高端PC应用的DRAM，满足未来市场日益增长的需求。

  三星开发的1znm DRAM为加速向下一代如DDR5，LPDDR5和GDDR6过渡铺平了道路，这些将为未来创新提供动力。同时，三星开发更具高容量和高性能的1znm产品将增强其业务竞争力，巩固其在高端DRAM市场中的领导地位，包括服务器、图形和移动设备等领域。

  三星正积极与全球客户合作，在与CPU制造商进行8GB DDR4模块的全面验证后，将提供一系列存储解决方案。同时，三星在其平泽工厂生产先进的DRAM产品，满足市场不断增长的需求。

   三星电子DRAM产品与技术执行副总裁李荣培（Jung Bae Lee）表示：“我们致力于突破技术领域的最大挑战，推动实现更大的创新。很高兴能再次为下一代DRAM的稳定生产奠定基础，确保性能和能源效率的最大化。随着我们推出1znm的DRAM系列产品，三星将继续致力于支持其全球客户部署尖端系统，并满足高端内存市场的增长。”